许小勇
Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies
点击次数:
所属单位:物理科学与技术学院
发表刊物:APPLIED PHYSICS LETTERS
合写作者:胡经国
第一作者:许小勇
论文类型:应用基础研究
卷号:104(3)
页面范围:卷-
ISSN号:0003-6951
是否译文:否
发表时间:2014-01-01
点击次数:
所属单位:物理科学与技术学院
发表刊物:APPLIED PHYSICS LETTERS
合写作者:胡经国
第一作者:许小勇
论文类型:应用基础研究
卷号:104(3)
页面范围:卷-
ISSN号:0003-6951
是否译文:否
发表时间:2014-01-01