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一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法
点击次数:
所属单位:扬州大学
专利范围:材料科学基础学科其他学科
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法
专利类型:发明
申请号:201910920771.5
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2019-09-27
第一作者:许小勇
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所属单位:扬州大学
专利范围:材料科学基础学科其他学科
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法
专利类型:发明
申请号:201910920771.5
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2019-09-27
第一作者:许小勇