Memristors based on TiOx/HfOx or AlOx/HfOx Multilayers with Gradually Varied Thickness

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影响因子:2.821

DOI码:10.1002/pssr.202000607

所属单位:机械工程学院

发表刊物:PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS

合写作者:王永志,谢关才,郭北斗,宫建孺

第一作者:尹彬沣

论文类型:应用基础研究

论文编号:2000607

卷号:15(6)

ISSN号:1862-6254

是否译文:

发表时间:2021-01-01

收录刊物:SCI

发布期刊链接:http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202000607