所属单位：国家纳米科学中心、扬州大学
专利范围：半导体器件与技术
学校署名：国家纳米科学中心、扬州大学
申请专利人：宫建茹
专利说明：一种忆阻器及其制备方法
专利类型：发明
申请号：202010952340.X
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2020-09-11
第一作者：尹彬沣
