一种共生铋系层状铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料的制备方法及其应用
- Affilication of Author(s):扬州大学
- Scope of patent:无机陶瓷材料
- School Sign:扬州大学
- Disigner of the Invention:于洪鉴
- Patent description:一种共生铋系层状铁电Bi7Ti4NbO21半导体材料的制备方法及其应用
- Type of Patent:发明
- Application Number:202310609389.9
- Number of Inventors:4
- Service Invention or Not:no
- Application Date:2023-05-29
- Authorization Date:2025-03-21
- First Author:Yu Hongjian
Pre One:
一种共生铋系层状铁电SrBi8Ti7O27半导体材料的制备方法
Next One:
一种共生铋系层状铁电材料Bi5TiNbWO15的制备方法及其产品及应用