曹荣幸

个人信息Personal Information

硕士生导师

教师拼音名称:Cao Rongxing

电子邮箱:

所在单位:电气与能源动力工程学院

学历:博士研究生毕业

办公地点:知行楼S501

性别:男

学位:理学博士学位

在职信息:在岗

毕业院校:南京大学

专利

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一种P型栅GaN HEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法

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所属单位:扬州大学

专利范围:辐射物理与技术

学校署名:扬州大学

发明设计人:李林欢

专利说明:一种P型栅GaN HEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法

专利类型:发明

专利状态:专利权有效

申请号:202110837558.5

发明人数:10

是否职务专利:

申请日期:2021-07-23

授权日期:2023-08-29

第一作者:曹荣幸