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化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法
点击次数:
所属单位:扬州大学
专利范围:应用物理学
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法
专利类型:发明
专利状态:#N/A
申请号:201510147968.1
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2015-03-27
第一作者:许小勇
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所属单位:扬州大学
专利范围:应用物理学
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法
专利类型:发明
专利状态:#N/A
申请号:201510147968.1
发明人数:6
是否职务专利:否
申请日期:2015-03-27
第一作者:许小勇