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ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法
点击次数:
所属单位:扬州大学
专利范围:电学
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法
专利类型:发明
专利状态:有效
申请号:201310346886.0
发明人数:7
是否职务专利:否
申请日期:2013-08-08
授权日期:2017-05-31
第一作者:许小勇
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所属单位:扬州大学
专利范围:电学
学校署名:扬州大学
申请专利人:许小勇
专利说明:ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法
专利类型:发明
专利状态:有效
申请号:201310346886.0
发明人数:7
是否职务专利:否
申请日期:2013-08-08
授权日期:2017-05-31
第一作者:许小勇